藍寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(α-Al2O3)的單晶，又稱為剛玉。藍寶石晶體具有優(yōu)異的光學性能、機械性能和化學穩(wěn)定性，強度高、硬度大、耐沖刷，可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作，因而被廣泛的應(yīng)用于紅外軍事裝置、衛(wèi)星空間技術(shù)、高強度激光的窗口材料。其*的晶格結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的力學性能、良好的熱學性能使藍寶石晶體成為實際應(yīng)用的半導體GaN/Al2O3發(fā)光二極管(LED)，大規(guī)模集成電路SOI和SOS及超導納米結(jié)構(gòu)薄膜等為理想的襯底材料。近年來，隨著現(xiàn)代科學技術(shù)的發(fā)展，對藍寶石晶體材料的尺寸、質(zhì)量不斷提出新的要求。

一、藍寶石晶體生長

低成本、高質(zhì)量地生長大尺寸藍寶石單晶已成為當前面臨的迫切任務(wù)?？傮w說來，藍寶石晶體生長方式可劃分為溶液生長、熔體生長、氣相生長三種，其中熔體生長方式因具有生長速率快，純度高和晶體完整性好等特點，而成為是制備大尺寸和特定形狀晶體的常用的晶體生長方式。目前可用來以熔體生長方式人工生長藍寶石晶體的方法主要有焰熔法、提拉法、區(qū)熔法、導模法、坩堝移動法、熱交換法、溫度梯度法、泡生法等。而泡生法工藝生長的藍寶石晶體約為目前*的70%。LED藍寶石襯底晶體技術(shù)正屬于一個處于正在發(fā)展階段，由于晶體生長技術(shù)的保密性，其多數(shù)晶體生長設(shè)備都是根據(jù)客戶要求按照工藝特點定做，或者采用其他晶體生長設(shè)備改造而成。

泡生法是Kyropoulos于1926年首先提出并用于晶體的生長，此后相當長的一段時間內(nèi)，該方法都是用于大尺寸鹵族晶體、氫氧化物和碳酸鹽等晶體的制備與研究。上世紀六七十年代，經(jīng)前蘇聯(lián)的Musatov改進，將此方法應(yīng)用于藍寶石單晶的制備。該方法生長的單晶，外型通常為梨形，晶體直徑可以生長到比坩鍋內(nèi)徑小10～30mm的尺寸。其原理與柴氏拉晶法(Czochralski method)類似，先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯，再以單晶之晶種(Seed Crystal，又稱籽晶棒)接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開始生長和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶，晶種以極緩慢的速度往上拉升，但在晶種往上拉晶一段時間以形成晶頸，待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后，晶種便不再拉升，也沒有作旋轉(zhuǎn)，僅以控制冷卻速率方式來使單晶從上方逐漸往下凝固，后凝固成一整個單晶晶碇，下圖即為泡生法(Kyropoulos method)的原理示意圖。泡生法是利用溫度控制來生長晶體，它與柴氏拉晶法大的差異是只拉出晶頸，晶身部分是靠著溫度變化來生長，少了拉升及旋轉(zhuǎn)的干擾，比較好控制制程，并在拉晶頸的同時，調(diào)整加熱器功率，使熔融的原料達到合適的長晶溫度范圍，讓生長速度達到理想化，因而長出品質(zhì)理想的藍寶石單晶。

該方法主要特點：

1、在整個晶體生長過程中，晶體不被提出坩堝，仍處于熱區(qū)。這樣就可以控制它的冷卻速度，減小熱應(yīng)力；

2、晶體生長時，固液界面處于熔體包圍之中。這樣熔體表面的溫度擾動和機械擾動在到達固液界面以前可被熔體減小以致消除；

3、選用軟水作為熱交換器內(nèi)的工作流體，相對于利用氦氣作冷卻劑的熱交換法可以有效降低實驗成本；

4、晶體生長過程中存在晶體的移動和轉(zhuǎn)動，容易受到機械振動影響。

泡生法(Kyropoulos method)之原理示意圖

二、熱應(yīng)力對藍寶石晶體加工的影響

藍寶石晶體(Al2O3)是超高亮度的藍、白光LED發(fā)光材料GaN常用的襯底材料， 而GaN磊晶的晶體質(zhì)量與所使用的監(jiān)寶石襯底(基板)表面加工質(zhì)量密切相關(guān)，尤其是圖形化襯底(PSS)與晶片的表面形貌、翹曲程度聯(lián)系密切，同時，晶片的翹曲程度過大，會在平片做GaN磊晶時，平片與外延薄膜脫落，PSS難以聚焦，影響外延品質(zhì)。在藍寶石襯底的切割、雙面研磨以及單面研磨、拋光過程中，盡管部分的加工應(yīng)力會在下一道加工工序釋放，但是這種應(yīng)力釋放是無序釋放，同時未釋放的加工應(yīng)力會在晶片表面集聚，影響藍寶石晶片的翹曲程度，嚴重的翹曲會在后道加工過程產(chǎn)生破片，影響整個加工循環(huán)的晶片質(zhì)量。藍寶石襯底在加工過程中，必須經(jīng)過退火處理以降低加工應(yīng)力。

皓越科技 電子半導體相關(guān)裝備 1、硅晶體及第三代半導體晶體生長設(shè)備    用于半導體Si晶體、SiC晶體、GaN晶體、AlN晶體和LED基體藍寶石晶體生長，以及其在基體材料上進行外延生長。 2、晶體熱處理和快速退火設(shè)備    用于半導體行業(yè)晶體生產(chǎn)過程熱處理工藝，芯片生產(chǎn)氧化及擴散工藝，離子注入后快速退火工藝。 3、設(shè)備及周邊產(chǎn)品的售后服務(wù)    提供設(shè)備的安裝調(diào)試、維修保養(yǎng)，以及周邊零部件的*工作。

藍寶石晶棒高溫有氧退火爐     高溫有氧退火爐適用于藍寶石晶棒退火，具有以下優(yōu)勢： 使用溫度高：高1800℃，常用1750℃，寶石脫色和消除內(nèi)應(yīng)力效果好； 溫度均勻：溫度均勻性可達±5℃，退火產(chǎn)品良品率高； 溫控先進：采用自主研發(fā)的多組PID智能溫控系統(tǒng)，升溫過程電流穩(wěn)定，溫度跟隨性好，使藍寶石在退火過程中*處于一個均勻的溫場中，并且通過對溫控系統(tǒng)編程嚴格控制電爐升降溫速率，避免藍寶石因溫差過大或者升降溫過快產(chǎn)生新的內(nèi)應(yīng)力而出現(xiàn)邊角迸裂； 節(jié)能*：采用全纖維爐膛保溫材料，隔熱保溫性能優(yōu)良，節(jié)能*，大大降低客戶寶石退火成本，對于競爭日益加劇的藍寶石行業(yè)意義重大。 藍寶石襯底高溫有氧退火爐     高溫有氧退火爐適用于藍寶石襯底或晶片退火，具有以下優(yōu)勢： 使用溫度高：高1600℃，常用1500℃，寶石脫色和消除內(nèi)應(yīng)力效果好； 溫度均勻：溫度均勻性可達±5℃，退火產(chǎn)品良品率高； 溫控先進：采用自主研發(fā)的多組PID智能溫控系統(tǒng)，升溫過程電流穩(wěn)定，溫度跟隨性好，使藍寶石在退火過程中*處于一個均勻的溫場中，并且通過對溫控系統(tǒng)編程嚴格控制電爐升降溫速率，避免藍寶石因溫差過大或者升降溫過快產(chǎn)生新的內(nèi)應(yīng)力而出現(xiàn)邊角迸裂； 節(jié)能*：采用全纖維爐膛保溫材料，隔熱保溫性能優(yōu)良，節(jié)能*，大大降低客戶寶石退火成本，對于競爭日益加劇的藍寶石行業(yè)意義重大。

皓越科技是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售電爐為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司一直專注于半導體材料、碳材料、先進陶瓷與復合材料和鋰電材料四大行業(yè)，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗和專業(yè)技術(shù)，竭誠服務(wù)于客戶，提供完善的一體化產(chǎn)業(yè)解決方案。